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受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存高企影響，2022年以來(lái)，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)“史無(wú)前例”的危機(jī)。

三星電子利潤(rùn)暴跌97%、SK海力士創(chuàng)下有史以來(lái)最大虧損、美光科技、西部數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)大廠庫(kù)存攀升，存儲(chǔ)芯片價(jià)格跌入谷底。

Gartner報(bào)告顯示，2023年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模下降了37%，成為半導(dǎo)體市場(chǎng)中下降最大的細(xì)分領(lǐng)域。彼時(shí)幾家存儲(chǔ)大廠集體經(jīng)營(yíng)虧損預(yù)估達(dá)破紀(jì)錄的50億美元，創(chuàng)下過(guò)去15年來(lái)最嚴(yán)重的低迷。存儲(chǔ)原廠相繼減產(chǎn)、降價(jià)、減少開支...，以應(yīng)對(duì)行業(yè)低迷。

存儲(chǔ)市場(chǎng)的“潰敗”尚歷歷在目，每一位行業(yè)玩家和親歷者仍心有余悸。

然而，縱使每一道車轍都留下了時(shí)代的印記，但周期輪轉(zhuǎn)的車輪始終在滾滾向前。

自2023年尾，2024年以來(lái)，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升。

這一在上論行業(yè)周期中跌宕最大，損失最慘重的賽道，似乎正在走出低谷。無(wú)論是存儲(chǔ)原廠的業(yè)績(jī)表現(xiàn)，還是調(diào)研機(jī)構(gòu)的市場(chǎng)觀察，都在印證這一觀點(diǎn)。

可以理解為：存儲(chǔ)市場(chǎng)，活過(guò)來(lái)了。

隨著手機(jī)、PC及服務(wù)器等行業(yè)市場(chǎng)需求的逐漸復(fù)蘇，加上存儲(chǔ)原廠產(chǎn)能削減措施的逐步實(shí)施，部分大類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已觸底反彈，步入上升通道。

漲價(jià)潮令上游存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)加速回暖。

在行業(yè)復(fù)蘇的背景下，三星電子憑借其在內(nèi)存芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的暴漲，為行業(yè)帶來(lái)強(qiáng)烈的震動(dòng)。

4月5日，三星電子表示，隨著芯片價(jià)格反彈，預(yù)計(jì)第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將增長(zhǎng)931%。（三星將于4月30日公布包含詳細(xì)的完整財(cái)報(bào)）

從三星此次公布的財(cái)務(wù)預(yù)報(bào)來(lái)看，當(dāng)季營(yíng)收約為71萬(wàn)億韓元，同比上漲11.4%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)大幅上漲至6.6萬(wàn)億韓元，同比暴增931.3%。

近幾個(gè)季度以來(lái)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)上漲起到了積極作用。早在去年四季度，三星就開始率先對(duì)其存儲(chǔ)芯片進(jìn)行了漲價(jià)。據(jù)此前消息顯示，三星在去年四季度對(duì)NAND Flash芯片報(bào)價(jià)上調(diào)10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季漲價(jià)20%，漲價(jià)幅度遠(yuǎn)超乎業(yè)界預(yù)期。

在漲價(jià)的同時(shí)，三星還對(duì)于NAND Flash和DRAM進(jìn)行了增產(chǎn)。

NAND方面，三星電子正在提升其位于中國(guó)西安NAND Flash閃存廠的產(chǎn)能利用率，目前已恢復(fù)到了70%左右。自2023年二季度減產(chǎn)之后，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場(chǎng)需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率也開始逐步回升。

DRAM方面，三星電子的目標(biāo)是到2024年第四季度晶圓產(chǎn)量達(dá)到200萬(wàn)片，比去年的數(shù)字增長(zhǎng)41%。三星現(xiàn)在的目標(biāo)是通過(guò)提高生產(chǎn)水平來(lái)挽回?fù)p失的利潤(rùn)，預(yù)計(jì)未來(lái)需求將會(huì)增加。

三星電子憑借其先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和龐大的產(chǎn)能規(guī)模，成功抓住了市場(chǎng)機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)的快速增長(zhǎng)。其中，內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的銷售額和利潤(rùn)的大幅增長(zhǎng)，成為推動(dòng)公司整體業(yè)績(jī)提升的重要力量。

在日前舉行的年度股東大會(huì)上，三星預(yù)計(jì)2024年旗下存儲(chǔ)半導(dǎo)體部門銷售額有望恢復(fù)至2022年的水平，同時(shí)還定下了更高的目標(biāo)——要在兩到三年內(nèi)，重新奪回全球芯片市場(chǎng)第一的位置。

除了芯片周期的回暖，三星還可能在近期迎來(lái)更多好消息。

上個(gè)月，英偉達(dá)CEO黃仁勛暗示，英偉達(dá)有意采購(gòu)三星的HBM芯片。有韓媒爆料稱，英偉達(dá)最快將從9月開始大量購(gòu)買三星電子的12層HBM3E。倘若消息落實(shí)，這將為三星電子未來(lái)的業(yè)績(jī)進(jìn)一步增長(zhǎng)帶來(lái)潛在動(dòng)力。

3月20日，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光公布了截至2024年2月29日的2024財(cái)年第二季財(cái)報(bào)，美光第二財(cái)季受益于DRAM和NAND Flash需求及價(jià)格同步上升，該季營(yíng)收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長(zhǎng)23%。

從具體產(chǎn)品劃分收入構(gòu)成來(lái)看，美光第二財(cái)季DRAM收入環(huán)比增長(zhǎng)21%至42億美元，占總收入的71%。這主要得益于該季DRAM平均價(jià)格上漲了10%，出貨量也有個(gè)位數(shù)百分比的增長(zhǎng)；第二財(cái)季NAND收入環(huán)比增長(zhǎng)了27%至16億美元，占美光總收入的27%。

根據(jù)此前美光公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，其第二財(cái)季DRAM平均價(jià)格上漲了10%；NAND Flash的平均價(jià)格漲幅超過(guò)了30%。

同時(shí)財(cái)報(bào)也顯示，產(chǎn)品漲價(jià)帶動(dòng)了美光的整體毛利率提升了19個(gè)百分點(diǎn)。據(jù)悉，美光在該季營(yíng)收、毛利率、凈利均大超預(yù)期，并成功結(jié)束連續(xù)五個(gè)季度的虧損，扭虧為盈。

從各應(yīng)用領(lǐng)域收入來(lái)看，來(lái)自數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的營(yíng)收增長(zhǎng)是最為迅猛，環(huán)比增長(zhǎng)超過(guò)一倍。這主要得益于AI服務(wù)器的需求正在推動(dòng)HBM、DDR5和數(shù)據(jù)中心SSD的快速增長(zhǎng)。這進(jìn)而也導(dǎo)致了先進(jìn)的DRAM和NAND的供應(yīng)處于供不應(yīng)求當(dāng)中，對(duì)所有存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)終端市場(chǎng)的定價(jià)產(chǎn)生了積極的連鎖反應(yīng)。

美光在財(cái)報(bào)中強(qiáng)調(diào)：“我們的HBM在2024年銷售一空，2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)已經(jīng)分配完畢。我們繼續(xù)預(yù)計(jì)HBM比特份額將在2025年的某個(gè)時(shí)候與我們的整體DRAM比特份額相等?！?/p>

美光預(yù)計(jì)，接下來(lái)每個(gè)季度的芯片價(jià)格都會(huì)上漲，重申2025財(cái)年將實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的收入，云收入也將呈現(xiàn)季度翻倍增長(zhǎng)，同時(shí)客戶的庫(kù)存已經(jīng)減少，急需補(bǔ)充新品。

不過(guò)需要指出的是，2024財(cái)年，美光的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)動(dòng)力主要還是來(lái)自于DRAM和NAND Flash的價(jià)格上漲及需求的增長(zhǎng)。而HBM所能夠?yàn)槊拦鈳?lái)的營(yíng)收貢獻(xiàn)仍比較有限。

美光最新業(yè)績(jī)以及業(yè)績(jī)展望數(shù)據(jù)表明，美光已經(jīng)熬過(guò)整個(gè)芯片行業(yè)周期的最糟糕時(shí)期，并且重新走向盈利模式，AI熱潮帶來(lái)的存儲(chǔ)需求激增可謂核心驅(qū)動(dòng)力。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在業(yè)績(jī)會(huì)議上向投資者承諾，2024年將標(biāo)志著存儲(chǔ)行業(yè)大幅反彈，2025年則將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額水平。但這也意味著美光需要加大產(chǎn)能制造足夠數(shù)量的HBM存儲(chǔ)，這需要與英偉達(dá)等AI芯片廠商緊密合作，幫助數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商們加快AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)步伐以及開發(fā)更多的人工智能軟件。

SK海力士是存儲(chǔ)巨頭中率先實(shí)現(xiàn)全公司單季度扭虧的公司。

據(jù)財(cái)報(bào)顯示，SK海力士2023財(cái)年第四季度結(jié)合并收入為11.306萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為0.346萬(wàn)億韓元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。SK海力士?jī)H時(shí)隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損。

順應(yīng)高性能DRAM需求的增長(zhǎng)趨勢(shì)，SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲(chǔ)器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應(yīng)于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。

對(duì)于市況復(fù)蘇相對(duì)緩慢的NAND閃存，SK海力士2023年主要集中于投資和費(fèi)用的效率化。后續(xù)，SK海力士決定通過(guò)以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴(kuò)大銷售，改善盈利并加強(qiáng)內(nèi)部管理。

除此之外，從鎧俠、西部數(shù)據(jù)以及存儲(chǔ)器終端廠商發(fā)布的最新財(cái)報(bào)中也可以看出，各大廠商業(yè)績(jī)均迎來(lái)較好表現(xiàn)。

眼下存儲(chǔ)芯片最核心的三大應(yīng)用市場(chǎng)，即手機(jī)、PC和服務(wù)器，已基本突破了“黑暗期”。同時(shí)，以智能汽車、AI為代表的新興市場(chǎng)的興起，將在未來(lái)推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的需求進(jìn)一步增加。

從行業(yè)角度看，根據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，不論是DRAM還是NAND Flash，2024年的整體存儲(chǔ)合約均價(jià)有望呈現(xiàn)逐季上漲態(tài)勢(shì)，同時(shí)通過(guò)觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲(chǔ)廠商近期業(yè)績(jī)的環(huán)比改善變化，存儲(chǔ)行業(yè)有望在2024年步入上行周期。

有業(yè)內(nèi)人士表示，去年三、四季度是存儲(chǔ)大廠減產(chǎn)限制供應(yīng)所帶動(dòng)的漲價(jià)；而如今漲價(jià)主要是因?yàn)樾滦枨笤黾铀鶐?dòng)的，接下來(lái)延續(xù)漲價(jià)沒(méi)有懸念。

此前韓國(guó)公布今年3月份芯片出口額年增35.7%，達(dá)到117億美元，創(chuàng)下2022年3月以來(lái)的最佳單月表現(xiàn)。這一數(shù)據(jù)也顯示出，目前半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷低谷之后，已經(jīng)開始逐步反彈。

TrendForce集邦咨詢的統(tǒng)計(jì)顯示，今年一季度DRAM芯片價(jià)格較前一季度增加約20%，而NAND Flash芯片價(jià)格漲幅在23%-28%之間。展望第二季度，TrendForce預(yù)估DRAM合約價(jià)季漲幅將為3%-8%；預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13%-18%。

調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole也表示，2024年DRAM市場(chǎng)“前景光明”，這是因?yàn)楣S利用率較低，制造商庫(kù)存已經(jīng)正常化，供需平衡已經(jīng)建立。

數(shù)據(jù)中心對(duì)人工智能加速器的需求持續(xù)增長(zhǎng)，也推動(dòng)了對(duì)HBM的需求增加，HBM的平均售價(jià)約為DRAM整體平均售價(jià)的六倍。數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器是DRAM需求最大的市場(chǎng)，約占2023年DRAM出貨量的50%。隨著HBM和CXL等新技術(shù)的建立，對(duì)數(shù)據(jù)中心的需求預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng)。此外，受COVID-19大流行期間購(gòu)買替換PC的需求以及支持生成式AI的新型智能手機(jī)的需求的推動(dòng)，消費(fèi)設(shè)備對(duì)DRAM的需求也在增加。

Yole預(yù)計(jì)NAND市場(chǎng)將在2024年復(fù)蘇。隨著個(gè)人電腦和高端智能手機(jī)融入新一代人工智能技術(shù)，消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求將會(huì)增加，數(shù)據(jù)中心對(duì)固態(tài)硬盤的需求預(yù)計(jì)也會(huì)增加。制造商的過(guò)剩庫(kù)存將通過(guò)利用率管理得到消除，市場(chǎng)將出現(xiàn)輕微供應(yīng)不足的情況，預(yù)計(jì)2024年全年產(chǎn)品價(jià)格將上漲。受此影響，下半年行業(yè)整體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率或?qū)⑥D(zhuǎn)正。

可見，存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來(lái)了第二個(gè)春天。

在存儲(chǔ)市場(chǎng)回暖之際，存儲(chǔ)芯片大廠們也在圍繞新產(chǎn)品和技術(shù)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)布局。

HBM作為一種高帶寬大容量存儲(chǔ)器，HBM通過(guò)TSV硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)垂直堆疊，具有高速高帶寬、低功耗、小體積等特點(diǎn)，專門用于高性能計(jì)算和圖形處理領(lǐng)域。

在AI需求的推動(dòng)下，成為未來(lái)五年市場(chǎng)增速的必經(jīng)之路。據(jù)SK海力士預(yù)測(cè)，2022年至2025年間，HBM市場(chǎng)需求將以109%的復(fù)合年增長(zhǎng)率高速增長(zhǎng)。

在此趨勢(shì)下，國(guó)際巨頭紛紛加入競(jìng)爭(zhēng)，SK海力士、三星和美光等頭部存儲(chǔ)廠商正在積極投資HBM技術(shù)，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年其產(chǎn)能和出貨量將大幅提升，以滿足AI等新興領(lǐng)域?qū)Ω邘?、低功耗封裝解決方案的需求。

過(guò)去10年里，HBM技術(shù)性能不斷升級(jí)迭代，已經(jīng)成為高性能計(jì)算領(lǐng)域重要的技術(shù)基石之一。

目前市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品仍為HBM2E。英偉達(dá)的 A100/A800、AMD的 MI200，及多數(shù)自研AI加速芯片均采用HBM2E。不過(guò)隨AI芯片的更新疊代，預(yù)計(jì)2024年的主流產(chǎn)品規(guī)格將轉(zhuǎn)稱到HBM3與HBM3E上。

尤其是HBM3E產(chǎn)品的研發(fā)和推廣，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已進(jìn)入白熱化階段。如英偉達(dá)的B100、H200 將采用最新HBM3E產(chǎn)品。

盡管目前HBM3E還在進(jìn)行性能驗(yàn)證，但HBM4相關(guān)技術(shù)創(chuàng)新競(jìng)賽已經(jīng)在各大存儲(chǔ)原廠之間展開。

SK海力士表示，公司在籌備支持HBM3E方面穩(wěn)步地取得進(jìn)展，將推進(jìn)大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E。同時(shí)正處于開發(fā)下一代HBM4產(chǎn)品的正軌之上，提出了在2026年推出"HBM4 "的藍(lán)圖，其將擁有12層或16層D-RAM。SK海力士還透露，將把下一代后處理技術(shù)“混合鍵合”應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。與現(xiàn)有的“非導(dǎo)電膜”工藝相比，該技術(shù)提高了散熱效率并減少了布線長(zhǎng)度，從而實(shí)現(xiàn)了更高的輸入/輸出密度。

三星電子在面向高性能計(jì)算的HBM內(nèi)存也迎來(lái)了新進(jìn)展：一是已經(jīng)向客戶提供9.8Gbps的HBM3E產(chǎn)品樣品；二是計(jì)劃在2025年推出HBM4內(nèi)存產(chǎn)品，以贏得快速增長(zhǎng)的人工智能芯片領(lǐng)域迫切激烈戰(zhàn)爭(zhēng)的主導(dǎo)權(quán)。

在HBM芯片上，美光科技也加快了追趕兩家韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭的步伐。前不久，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá)H200 TensorCore GPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。

美光利用其1β技術(shù)、先進(jìn)的TSV工藝和其他實(shí)現(xiàn)差異化封裝解決方案來(lái)生產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品，有助于公司在數(shù)據(jù)中心級(jí)產(chǎn)品上提升技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和市場(chǎng)占有率。

盡管美光科技在HBM4上沒(méi)有太多的公開信息，但其披露了暫名為HBMnext的下一代HBM內(nèi)存。這極有可能就是其HBM4技術(shù)研發(fā)計(jì)劃。

美光科技首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在電話會(huì)議上曾表示：“面對(duì)AI給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)的多年機(jī)遇，美光科技將是最大的受益者之一?！盚BM技術(shù)作為美光科技的創(chuàng)收新引擎，將與英偉達(dá)新款A(yù)I GPU全面綁定。

目前，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年SK海力士占據(jù)了46%-49%的HBM市場(chǎng)份額，三星市場(chǎng)份額也差別不大，美光目前只占有4%-6%的市場(chǎng)份額。據(jù)行業(yè)人士觀點(diǎn)，在美光新品持續(xù)發(fā)力情況下，受到美國(guó)地緣優(yōu)勢(shì)影響，美國(guó)本地科技巨頭或加大采購(gòu)力度，助力其市場(chǎng)份額提升。

可以說(shuō)，在AI這一主需求推動(dòng)下，未來(lái)三星電子、SK海力士和美光三大存儲(chǔ)巨頭將成為彼此最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，而HBM4也將成為其在高算力賽道上下一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)。

然而，在廣闊的市場(chǎng)前景推動(dòng)下，全球HBM產(chǎn)能逐漸告急，廠商積極擴(kuò)產(chǎn)。SK海力士和美光此前均表示，公司2024年的HBM已經(jīng)售罄。面對(duì)強(qiáng)大的產(chǎn)能需求，各大廠商開始擴(kuò)充產(chǎn)能，其中以三星和SK海力士最為積極。

據(jù)了解，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達(dá)約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會(huì)依據(jù)驗(yàn)證進(jìn)度與客戶訂單持續(xù)而有變化；美光相對(duì)較少，約為20K。

三星執(zhí)行副總裁兼DRAM產(chǎn)品與科技部長(zhǎng)Hwang Sang-joong在Memcon 2024會(huì)議上表示，三星HBM產(chǎn)能有望年增2.9倍，高于其稍早在CES 2024期間提到的2.4倍。此外，三星預(yù)測(cè)，該公司2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年比2023年高23.1倍。

SK海力士則計(jì)劃將2024年的生產(chǎn)重心放在HBM等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品上，預(yù)計(jì)今年HBM產(chǎn)能對(duì)比去年將增加1倍以上。SK海力士Kwak Noh-Jung近日在股東大會(huì)上亦表示，預(yù)計(jì)2024年HBM占整體DRAM銷售達(dá)兩位數(shù)，2025年供應(yīng)依舊緊張。

美光有望在2024財(cái)年從HBM中獲得數(shù)億美元的收入，并預(yù)計(jì)從第三財(cái)季開始，HBM收入將增加其DRAM和整體毛利率。上面提到，美光2024年的HBM產(chǎn)能已售罄，并且2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)已分配完畢。

此外，主流廠商正在逐步加緊3D NAND的研究。

自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯片層數(shù)上。隨著3D堆疊時(shí)代的到來(lái)，在三星、鎧俠、SK海力士、美光等存儲(chǔ)廠商的不斷推動(dòng)下，NAND Flash閃存堆疊層數(shù)不斷被刷新。

目前，各大廠商的NAND閃存堆疊層數(shù)均已突破200層，并持續(xù)向更高層數(shù)的NAND Flash邁進(jìn)。

從各廠商情況來(lái)看，SK海力士在2023年展示了其最新300層3D NAND產(chǎn)品原型，計(jì)劃明年初開始使用其三堆棧技術(shù)生產(chǎn)321層NAND產(chǎn)品。

據(jù)Kedglobal日前報(bào)道，三星電子將于本月晚些時(shí)候開始批量生產(chǎn)290層第九代V-NAND閃存芯片，以引領(lǐng)行業(yè)向高堆疊高密度閃存過(guò)渡的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。V9 NAND是繼三星當(dāng)前旗艦236層V8閃存產(chǎn)品后的一款尖端產(chǎn)品，面向大型企業(yè)服務(wù)器以及人工智能和云設(shè)備。

隨著人工智能時(shí)代對(duì)高性能和大型存儲(chǔ)設(shè)備的需求增長(zhǎng)，三星還計(jì)劃明年推出430層NAND芯片。三星高管還曾多次表示，公司目標(biāo)是到2030年開發(fā)超過(guò)1000層的NAND芯片，以實(shí)現(xiàn)更高的密度和存儲(chǔ)能力。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)于2023年推出218層3D NAND閃存，但鎧俠和西部數(shù)據(jù)2024年的生產(chǎn)重點(diǎn)仍然是112層技術(shù)。在日本政府補(bǔ)貼的支持下，218層技術(shù)的設(shè)備安裝預(yù)計(jì)將于2H24開始，更樂(lè)觀地預(yù)測(cè)2025年218層產(chǎn)量。

從鎧俠目前的工藝發(fā)展規(guī)劃來(lái)看，218層以上的產(chǎn)品將直接向300層以上的工藝邁進(jìn)，希望能夠?qū)崿F(xiàn)更好的成本結(jié)構(gòu)，重新獲得技術(shù)和成本方面的領(lǐng)先地位。近日，鎧俠在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。

再看美光，2022年美光實(shí)現(xiàn)232層NAND閃存產(chǎn)品的出貨。根據(jù)后續(xù)的報(bào)道，美光已經(jīng)制定了發(fā)展到 500 多層的路線圖。

綜合來(lái)看，對(duì)于NAND未來(lái)如何發(fā)展，如上所述，不同廠商又不同的方案。今年三月，業(yè)內(nèi)知名機(jī)構(gòu)techinsights從他們的角度，分享了3D NAND技術(shù)路線圖。

Techinsights表示，兩三年后，我們或許就能看到超過(guò)500層的3D NAND產(chǎn)品，甚至五年后就能看到超過(guò)600層或700層的封裝解決方案，采用更先進(jìn)和優(yōu)化的混合鍵合技術(shù)。

在HBM的競(jìng)爭(zhēng)方興未艾，存儲(chǔ)巨頭在CXL等存儲(chǔ)上開啟了新一輪的爭(zhēng)霸戰(zhàn)。

隨著生成型人工智能和數(shù)據(jù)中心中要處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，CXL是一種與HBM一起作為下一代存儲(chǔ)器而備受關(guān)注的產(chǎn)品。CXL的優(yōu)點(diǎn)是“靈活增加內(nèi)存容量”。該技術(shù)是一種基于PCIe的集成接口標(biāo)準(zhǔn)，用于高效構(gòu)建高性能計(jì)算系統(tǒng)，并且由于通過(guò)增加服務(wù)器系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬來(lái)提高性能并且易于擴(kuò)展內(nèi)存容量而受到關(guān)注。

三星電子和 SK 海力士將 CXL 視為“下一代內(nèi)存的新機(jī)遇”，并在兩年前積極披露該技術(shù)，一直致力于擴(kuò)大市場(chǎng)生態(tài)系統(tǒng)。由于英特爾準(zhǔn)備在今年下半年推出第5代Xeon處理器，這是首款符合CXL 2.0標(biāo)準(zhǔn)的CPU，兩家公司的目標(biāo)是在今年量產(chǎn)CXL 2.0內(nèi)存產(chǎn)品，并擴(kuò)大產(chǎn)能認(rèn)真供應(yīng)。

三星電子和SK海力士推出了大量用于AI的下一代內(nèi)存 CXL新技術(shù)。

去年5月，三星電子宣布在業(yè)界首次開發(fā)支持CXL 2.0的128GB DRAM，同年12月共開發(fā)出4款產(chǎn)品，其中包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H 和三星CMM-HC CXL產(chǎn)品的推出是通過(guò)一次性申請(qǐng)四個(gè)商標(biāo)來(lái)宣布的。CMM 代表 CXL 內(nèi)存模塊，在三星內(nèi)部，CXL 統(tǒng)稱為 CMM。

此外，三星電子去年12月與企業(yè)Linux公司Red Hat成功驗(yàn)證了CXL內(nèi)存的運(yùn)行。此外，三星電子正在重點(diǎn)開發(fā)CXL控制器，以用自己的產(chǎn)品取代從中國(guó)無(wú)晶圓廠公司瀾起科技購(gòu)買的CXL控制器。

SK海力士于2022年8月推出支持CXL 2.0的96GB DRAM樣品，并于同年10月宣布開發(fā)出業(yè)界首款集成基于CXL計(jì)算功能的內(nèi)存解決方案CMS。去年10月，SK海力士參加了在美國(guó)加利福尼亞州舉行的“OCP全球峰會(huì)2023”，通過(guò)展示基于XL的CMS和拉取存儲(chǔ)器解決方案來(lái)展示其技術(shù)。

CXL內(nèi)存未來(lái)增長(zhǎng)潛力巨大。市場(chǎng)研究公司Yole Development預(yù)測(cè)，到2028年，全球CXL市場(chǎng)將增至超過(guò)150億美元。CXL控制器市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2022年的9600萬(wàn)美元增至2029年的7.627億美元.

為了應(yīng)對(duì)未來(lái)的需求，有消息透露，三星還計(jì)劃加碼投資其在美國(guó)德州的半導(dǎo)體工廠，增長(zhǎng)超過(guò)1倍的資金，總規(guī)模約為440億美元，大部分新支出將集中在泰勒市附近。據(jù)知情人士透露，三星計(jì)劃再新蓋一座芯片廠，以及一座先進(jìn)封裝廠與研發(fā)設(shè)施，并將研發(fā)作業(yè)集中在一起，投資規(guī)模因市場(chǎng)狀況來(lái)調(diào)整。

據(jù)悉，三星擴(kuò)大投資的活動(dòng)預(yù)計(jì)將于4月15日在泰勒舉行，HBM、2.5D和3D封裝技術(shù)或?qū)⑹侨谴舜瓮顿Y的重點(diǎn)。

SK海力士在用于AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)掌握主導(dǎo)權(quán)，隨后為了加強(qiáng)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力考慮在美國(guó)投資先進(jìn)后端工藝領(lǐng)域，并尋找最合適的地點(diǎn)。美國(guó)聚集了AI領(lǐng)域的大型科技客戶，也在積極推進(jìn)先進(jìn)后端工藝方面的技術(shù)研究。

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國(guó)印第安納州西拉斐特建造適于AI的存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，同時(shí)與美國(guó)普渡大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)進(jìn)行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作，計(jì)劃向該項(xiàng)目投資38.7億美元。

SK海力士表示，印第安納州工廠預(yù)計(jì)在2028年下半年開始量產(chǎn)新一代HBM等適于AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，將以此領(lǐng)先激活全球AI半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?！?/p>

另外，SK海力士還將順利推進(jìn)已計(jì)劃的韓國(guó)國(guó)內(nèi)投資項(xiàng)目，計(jì)劃投資120萬(wàn)億韓元建設(shè)的龍仁半導(dǎo)體集群目前正在進(jìn)行用地在建工程。SK海力士計(jì)劃在明年3月開工建造第一座工廠，并于2027年初完工。而且還將建造“迷你工廠”以此加強(qiáng)材料、零部件、設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)。據(jù)悉，迷你工廠是為了驗(yàn)證半導(dǎo)體材料、零部件、設(shè)備等，具備300毫米晶圓工藝設(shè)備的研究設(shè)施。

在擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度上，美光管理層表示，2024財(cái)年新工廠和設(shè)備的預(yù)算將維持在75億美元至80億美元，并且該公司將繼續(xù)在中國(guó)、日本和印度開展項(xiàng)目。

其中，美光前不久宣布其位于西安的封裝和測(cè)試新廠房已正式破土動(dòng)工。此前，在2023年6月，美光宣布在西安追加投資43億元人民幣，該投資計(jì)劃包括加建上述的封裝和測(cè)試新廠房以及收購(gòu)力成半導(dǎo)體（西安）有限公司的封裝設(shè)備。其中加建的新廠房將引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，包括但不限于移動(dòng)DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測(cè)試能力。據(jù)悉，該新廠房預(yù)計(jì)將于2025年下半年投產(chǎn)，并根據(jù)市場(chǎng)需求逐步增產(chǎn)。新廠房落成后，美光西安工廠的總面積將超過(guò)13.2萬(wàn)平方米。

從存儲(chǔ)芯片歷史發(fā)展來(lái)看，3-4年時(shí)間約為一個(gè)周期，當(dāng)前處于第五輪周期起點(diǎn)。從2000年之后，存儲(chǔ)行業(yè)周期表現(xiàn)明顯，電子消費(fèi)品的創(chuàng)新能快速提升存儲(chǔ)芯片的整體需求，以 2000、2009、2017 年為例，是互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算大規(guī)模投入的三個(gè)重要窗口期。

而2004年和2020年的PC迭代與手機(jī)的換機(jī)周期導(dǎo)致市場(chǎng)反彈較為疲軟，同時(shí)在各個(gè)周期環(huán)節(jié)中，供給端的縮量增價(jià)等行為往往滯后于需求的快速爆發(fā)，因此在價(jià)格周期底部布局能夠獲得較大彈性。

存儲(chǔ)芯片賽道屬于高成長(zhǎng)強(qiáng)周期行業(yè)，現(xiàn)在當(dāng)下時(shí)點(diǎn)是存儲(chǔ)芯片賽道下一輪周期的新起點(diǎn)。隨著供需格局逐步改善，存儲(chǔ)需求不斷擴(kuò)大的前提下，存儲(chǔ)芯片價(jià)值穩(wěn)步提升，行業(yè)進(jìn)入復(fù)蘇周期。

據(jù)了解，存儲(chǔ)芯片銷售額走勢(shì)與整體半導(dǎo)體走勢(shì)高度協(xié)同，但波動(dòng)性位于行業(yè)第一。從歷史數(shù)據(jù)來(lái)看，半導(dǎo)體以及存儲(chǔ)細(xì)分賽道呈現(xiàn)出趨同的周期性，但存儲(chǔ)板塊波動(dòng)性位于行業(yè)第一位。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到5884 億美元，同比增長(zhǎng)13.1%，其中存儲(chǔ)器細(xì)分賽道的占比將上升到22.06%，市場(chǎng)規(guī)模將上漲到1298億美元，同比增加44.8%，漲幅位居半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域之首。

可見，在整體行業(yè)處于下行周期時(shí)，存儲(chǔ)市場(chǎng)往往會(huì)受到更大沖擊，而相應(yīng)地若處于從低谷持續(xù)回暖的上行周期，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)也將會(huì)相對(duì)受益更多。

如今隨著芯片行業(yè)踏入復(fù)蘇周期，作為典型的周期成長(zhǎng)行業(yè)，存儲(chǔ)市場(chǎng)已經(jīng)擺脫了前幾個(gè)季度連續(xù)下滑的最壞時(shí)刻，迎來(lái)新一輪成長(zhǎng)的黎明期。